|  |
| |
| Artikelnr.:
3523E-2156635 Fabrikantnr.:
IHW20N135R5XKSA1 EAN/GTIN:
geen gegevens |
| |
|
| | |
| The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode offers high breakdown voltage of 1350v.High Efficiency Low Switching Losses Increased Reliability Low Electromagnetic Interference Meer informatie: | | Maximum Continuous Collector Current: | 40 A | Maximum Collector Emitter Voltage: | 1350 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | ±20 V, ±25 V | Maximum Power Dissipation: | 310 W | Package Type: | PG-TO247-3 | Pin Count: | 3 |
|
| | |
| | | |
| Andere zoekwoorden: Transistor, Transistors, 2156635, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs, Infineon, IHW20N135R5XKSA1 |
| | |
| | | Magazijnen (3) | | |
| | Voorraad | Min. hoeveelheid | | Verzendkosten | | | | | | | | | | | | | | Magazijn 3523 | | | | 30 | | Franco huis | vanaf € 2,044* | € 3,234* | | | | | | | | | 1 | | € 7,90* | vanaf € 2,30* | € 4,38* | | | | | 4 werkdagen | | | 1 | | € 7,90* | vanaf € 2,30* | € 4,38* | | | | | | | | | | | | | | | | | Prijzen: Magazijn 3523 | | Bestelhoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW | Eenheid | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | alleen te bestellen in veelvouden van 30 stuks | minimale bestelhoeveelheid: 30 stuks ( € 97,02* excl. BTW ) |
|
| | | | | Voorraad: Magazijn 3523 | | Verzendkosten: Magazijn 3523 | | | | Bekijk voorraad details hier. | | Bestelwaarde | Verzendkosten | vanaf € 0,00* | Franco huis |
|
| | | | | Retourvoorwaarden: Magazijn 3523 | | | | Periode: | Binnen 30 dagen | | Toestand verpakking: | Originele verpakking onbeschadigd, geopend | | Toestand goederen: | Ongebruikt | | Verzendkosten: | Gratis | | Administratiekosten: | Worden individueel vastgesteld | | Conform de algemene voorwaarden en onafhankelijk van de retourvoorwaarden blijft de garantieperiode bestaan. |
|
| | | | | | | |
|