Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

Aantal:

verpakking

Productinformatie

Artikelnr.:
3523E-2445834

Merk:
Infineon

Fabrikantnr.:
FP50R12KE3BOSA1

EAN/GTIN:
geen gegevens

Zoekwoorden:

Maximum Continuous Collector Current = 75 A
Maximum Collector Emitter Voltage = 1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage = ±20V
Number of Transistors = 7

Meer informatie:


Maximum Continuous Collector Current:	75 A
Maximum Collector Emitter Voltage:	1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage:	±20V
Maximum Power Dissipation:	280 W
Number of Transistors:	7

Andere zoekwoorden: Schakeltransistors, Transistor, Transistors, 2445834, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs, Infineon, FP50R12KE3BOSA1

Overzicht van de condities¹

Levertijd

Voorraad

Prijs excl. BTW

vanaf € 1.225,80*

Prijs geldt vanaf 500 verpakkingen

1 verpakking omvat 10 stuks (vanaf € 122,58* per stuk)

Staffelprijzen

* Prijzen zijn excl. BTW en (indien van toepassing) incl. heffingen zoals Recupel, Bebat of Auvibel.

Mercateo verkoopt uitsluitend aan zakelijke klanten.