onsemi FGA60N65SMD IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

Aantal:

stuk

Productinformatie

Artikelnr.:
3523E-8648795

Merk:
onsemi

Fabrikantnr.:
FGA60N65SMD

EAN/GTIN:
5059042658682

Zoekwoorden:

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

Meer informatie:


Maximum Continuous Collector Current:	120 A
Maximum Collector Emitter Voltage:	650 V
Maximum Gate Emitter Voltage:	±20V
Maximum Power Dissipation:	600 W
Package Type:	TO-3PN
Mounting Type:	Through Hole
Channel Type:	N
Pin Count:	3
Transistor Configuration:	Single
Dimensions:	15.8 x 5 x 20.1mm
Maximum Operating Temperature:	+175 °C
Minimum Operating Temperature:	-55 °C

Andere zoekwoorden: Transistor, Transistors, 8648795, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs, onsemi, FGA60N65SMD

Magazijnen (3)

Voorraad

Verzendkosten

Staffelprijs

Eenheidsprijs

Magazijn 3523

Franco huis

vanaf € 3,255*

€ 7,273*

€ 7,90*

vanaf € 4,21*

€ 7,64*

5 werkdagen

108

€ 7,90*

vanaf € 4,19*

€ 7,64*

Prijzen: Magazijn 3523

Voorraad: Magazijn 3523

Verzendkosten: Magazijn 3523

Bekijk voorraad details hier.

Bestelwaarde	Verzendkosten
vanaf € 0,00*	Franco huis

Retourvoorwaarden: Magazijn 3523

Periode:	Binnen 30 dagen
Toestand verpakking:	Originele verpakking onbeschadigd, geopend
Toestand goederen:	Ongebruikt
Verzendkosten:	Gratis
Administratiekosten:	Worden individueel vastgesteld
Conform de algemene voorwaarden en onafhankelijk van de retourvoorwaarden blijft de garantieperiode bestaan.