|  |
| |
| Artikelnr.:
4989-161263-BP Fabrikantnr.:
IRF6721STR1PBF EAN/GTIN:
geen gegevens |
| |
|
| | |
| Unipolaire transistor (MOSFET) Technische spec.: Aantal kanalen: 1 · Afbreekspanning U(BR DSS): 30 V · Bedrijfstemperatuur (max.)(num): +150 °C · Bedrijfstemperatuur (min.)(num): -40 °C · Behuizingssoort (halfgeleider): DirectFET · C(ISS): 1430 pF · C(ISS) referentiespanning: 15 V · Fabrikant: Infineon Technologies · Fabrikantcode (componenten): INF · I(d): 14 A,60 A · Kenmerken transistor: Standaard · Montagewijze: Oppervlakmontage · Q(G): 17 nC · Q(G) referentiespanning: 4.5 V · R(DS)(on): 7.3 mΩ · R(DS)(on) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on) referentiestroom: 14 A · Serie (halfgeleiders): HEXFET® · Soortnaam: MOSFET · Type (fabrikanttype): IRF6721STR1PBF · U(DSS): 30 V · U(GS)(th) max.: 2.4 V · U(GS)(th) referentiestroom (max.): 25 µA · Uitvoering (transistor): N-kanaal · Vermogen (max.) P(TOT): 2.2 W Meer informatie: | | Fabrikant: | Infineon Technologies | Aantal kanalen: | 1 | 01 Merk: | Infineon Technologies | Behuizingssoort (halfgeleider): | DirectFET | Uitvoering (transistor): | N-kanaal | Serie (halfgeleiders): | HEXFET® | Kenmerken transistor: | Standaard | Fabrikantcode (componenten): | INF | Type (fabrikanttype): | IRF6721STR1PBF | Montagewijze: | Oppervlakmontage | C(ISS): | 1430 pF | C(ISS) referentiespanning: | 15 V | I(d): | 14 A | 60 A | Bedrijfstemperatuur (max.)(num): | +150 °C | Bedrijfstemperatuur (min.)(num): | -40 °C | Vermogen (max.) P(TOT): | 2.2 W | Q(G): | 17 nC | Q(G) referentiespanning: | 4.5 V | R(DS)(on): | 7.3 mΩ | R(DS)(on) referentiestroom: | 14 A | R(DS)(on) referentiespanning: | 10 V | U(GS)(th) referentiestroom (max.): | 25 µA | U(DSS): | 30 V | U(GS)(th) max.: | 2.4 V | Afbreekspanning U(BR DSS): | 30 V | Soortnaam: | MOSFET |
|
| | |
| | | |
| Andere zoekwoorden: Infineon Technologies, IRF6721STR1PBF, Internationaal Rectifier, 161263-BP |
| | |
| |