|  |
| |
| Artikelnr.:
4989-162408-BP Fabrikantnr.:
IRF5305 EAN/GTIN:
geen gegevens |
| |
|
| | |
| Power MOSFET, P-Channel Technische spec.: Aantal kanalen: 1 · Afbreekspanning U(BR DSS): 55 V · Bedrijfstemperatuur (max.)(num): +175 °C · Bedrijfstemperatuur (min.)(num): -55 °C · Behuizingssoort (halfgeleider): TO-263-3 · C(ISS): 1200 pF · C(ISS) referentiespanning: 25 V · Fabrikant: Infineon Technologies · Fabrikantcode (componenten): INF · I(d): 31 A · Kenmerken transistor: Standaard · Montagewijze: Oppervlakmontage · Q(G): 63 nC · Q(G) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on): 60 mΩ · R(DS)(on) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on) referentiestroom: 16 A · Serie (halfgeleiders): HEXFET® · Soortnaam: MOSFET · Type (fabrikanttype): IRF5305 · U(DSS): 55 V · U(GS)(th) max.: 4 V · U(GS)(th) referentiestroom (max.): 250 µA · Uitvoering (transistor): P-kanaal · Vermogen (max.) P(TOT): 3.8 W Meer informatie: | | Fabrikant: | Infineon Technologies | Aantal kanalen: | 1 | 01 Merk: | Infineon Technologies | Behuizingssoort (halfgeleider): | TO-263-3 | Uitvoering (transistor): | P-kanaal | Serie (halfgeleiders): | HEXFET® | Kenmerken transistor: | Standaard | Fabrikantcode (componenten): | INF | Type (fabrikanttype): | IRF5305 | Montagewijze: | Oppervlakmontage | C(ISS): | 1200 pF | C(ISS) referentiespanning: | 25 V | I(d): | 31 A | Bedrijfstemperatuur (max.)(num): | +175 °C | Bedrijfstemperatuur (min.)(num): | -55 °C | Vermogen (max.) P(TOT): | 3.8 W | Q(G): | 63 nC | Q(G) referentiespanning: | 10 V | R(DS)(on): | 60 mΩ | R(DS)(on) referentiestroom: | 16 A | R(DS)(on) referentiespanning: | 10 V | U(GS)(th) referentiestroom (max.): | 250 µA | U(DSS): | 55 V | U(GS)(th) max.: | 4 V | Afbreekspanning U(BR DSS): | 55 V | Soortnaam: | MOSFET |
|
| | |
| | | |
| Andere zoekwoorden: Infineon Technologies, IRF5305, 541-1736, Internationaal Rectifier, 162408-BP |
| | |
| |