|  |
| |
| Artikelnr.:
4989-162465-BP Fabrikantnr.:
IRF7403 EAN/GTIN:
geen gegevens |
| |
|
| | |
| MOSFET (HEXFET / FETKY) Technische spec.: Aantal kanalen: 1 · Afbreekspanning U(BR DSS): 30 V · Bedrijfstemperatuur (max.)(num): +150 °C · Bedrijfstemperatuur (min.)(num): -55 °C · Behuizingssoort (halfgeleider): SOIC-8 · C(ISS): 1200 pF · C(ISS) referentiespanning: 25 V · Fabrikant: Infineon Technologies · Fabrikantcode (componenten): INF · I(d): 8.5 A · Kenmerken transistor: Standaard · Montagewijze: Oppervlakmontage · Q(G): 57 nC · Q(G) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on): 22 mΩ · R(DS)(on) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on) referentiestroom: 4 A · Serie (halfgeleiders): HEXFET® · Soortnaam: MOSFET · Type (fabrikanttype): IRF7403 · U(DSS): 30 V · U(GS)(th) max.: 1 V · U(GS)(th) referentiestroom (max.): 250 µA · Uitvoering (transistor): N-kanaal · Vermogen (max.) P(TOT): 2.5 W Meer informatie: | | Fabrikant: | Infineon Technologies | Aantal kanalen: | 1 | 01 Merk: | Infineon Technologies | Behuizingssoort (halfgeleider): | SOIC-8 | Uitvoering (transistor): | N-kanaal | Serie (halfgeleiders): | HEXFET® | Kenmerken transistor: | Standaard | Fabrikantcode (componenten): | INF | Type (fabrikanttype): | IRF7403 | Uitvoering (algemeen): | HEXFET | Montagewijze: | Oppervlakmontage | C(ISS): | 1200 pF | C(ISS) referentiespanning: | 25 V | I(d): | 8.5 A | Bedrijfstemperatuur (max.)(num): | +150 °C | Bedrijfstemperatuur (min.)(num): | -55 °C | Vermogen (max.) P(TOT): | 2.5 W | Q(G): | 57 nC | Q(G) referentiespanning: | 10 V | R(DS)(on): | 22 mΩ | R(DS)(on) referentiestroom: | 4 A | R(DS)(on) referentiespanning: | 10 V | U(GS)(th) referentiestroom (max.): | 250 µA | U(DSS): | 30 V | U(GS)(th) max.: | 1 V | Afbreekspanning U(BR DSS): | 30 V | Soortnaam: | MOSFET |
|
| | |
| | | |
| Andere zoekwoorden: Infineon Technologies, IRF7403, Internationaal Rectifier, IRF7403PBF-ND, 162465-BP |
| | |
| |