|  |
| |
| Artikelnr.:
4989-162484-BP Fabrikantnr.:
IRF7459 EAN/GTIN:
geen gegevens |
| |
|
| | |
| MOSFET (HEXFET / FETKY) Technische spec.: Aantal kanalen: 1 · Afbreekspanning U(BR DSS): 20 V · Bedrijfstemperatuur (max.)(num): +150 °C · Bedrijfstemperatuur (min.)(num): -55 °C · Behuizingssoort (halfgeleider): SO-8 · C(ISS): 2480 pF · C(ISS) referentiespanning: 10 V · Fabrikant: Infineon Technologies · Fabrikantcode (componenten): INF · I(d): 12 A · Kenmerken transistor: Standaard · Montagewijze: Oppervlakmontage · Q(G): 35 nC · Q(G) referentiespanning: 4.5 V · R(DS)(on): 9 mΩ · R(DS)(on) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on) referentiestroom: 12 A · Serie (halfgeleiders): HEXFET® · Soortnaam: MOSFET · Type (fabrikanttype): IRF7459 · U(DSS): 20 V · U(GS)(th) max.: 2 V · U(GS)(th) referentiestroom (max.): 250 µA · Uitvoering (transistor): N-kanaal · Vermogen (max.) P(TOT): 2.5 W Meer informatie: | | Fabrikant: | Infineon Technologies | Aantal kanalen: | 1 | 01 Merk: | Infineon Technologies | Behuizingssoort (halfgeleider): | SO-8 | Uitvoering (transistor): | N-kanaal | Serie (halfgeleiders): | HEXFET® | Kenmerken transistor: | Standaard | Fabrikantcode (componenten): | INF | Type (fabrikanttype): | IRF7459 | Uitvoering (algemeen): | HEXFET | Montagewijze: | Oppervlakmontage | C(ISS): | 2480 pF | C(ISS) referentiespanning: | 10 V | I(d): | 12 A | Bedrijfstemperatuur (max.)(num): | +150 °C | Bedrijfstemperatuur (min.)(num): | -55 °C | Vermogen (max.) P(TOT): | 2.5 W | Q(G): | 35 nC | Q(G) referentiespanning: | 4.5 V | R(DS)(on): | 9 mΩ | R(DS)(on) referentiestroom: | 12 A | R(DS)(on) referentiespanning: | 10 V | U(GS)(th) referentiestroom (max.): | 250 µA | U(DSS): | 20 V | U(GS)(th) max.: | 2 V | Afbreekspanning U(BR DSS): | 20 V | Soortnaam: | MOSFET |
|
| | |
| | | |
| Andere zoekwoorden: Infineon Technologies, IRF7459, Internationaal Rectifier, 162484-BP |
| | |
| |