|  |
| |
| Artikelnr.:
4989-162521-BP Fabrikantnr.:
IRF820A EAN/GTIN:
geen gegevens |
| |
|
| | |
| MOSFET (HEXFET/FETKY) Technische spec.: Aantal kanalen: 1 · Afbreekspanning U(BR DSS): 500 V · Bedrijfstemperatuur (max.)(num): +150 °C · Bedrijfstemperatuur (min.)(num): -55 °C · Behuizingssoort (halfgeleider): TO-220 · C(ISS): 340 pF · C(ISS) referentiespanning: 25 V · Fabrikant: Infineon Technologies · Fabrikantcode (componenten): INF · I(d): 2.5 A · Kenmerken transistor: Standaard · Montagewijze: Doorvoergat · Q(G): 17 nC · Q(G) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on): 3 Ω · R(DS)(on) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on) referentiestroom: 1.5 A · Soortnaam: MOSFET · Type (fabrikanttype): IRF820A · U(DSS): 500 V · U(GS)(th) max.: 4.5 V · U(GS)(th) referentiestroom (max.): 250 µA · Uitvoering (transistor): N-kanaal · Vermogen (max.) P(TOT): 50 W Meer informatie: | | Fabrikant: | Infineon Technologies | Aantal kanalen: | 1 | 01 Merk: | Infineon Technologies | Behuizingssoort (halfgeleider): | TO-220 | Uitvoering (transistor): | N-kanaal | Kenmerken transistor: | Standaard | Fabrikantcode (componenten): | INF | Type (fabrikanttype): | IRF820A | Montagewijze: | Doorvoergat | C(ISS): | 340 pF | C(ISS) referentiespanning: | 25 V | I(d): | 2.5 A | Bedrijfstemperatuur (max.)(num): | +150 °C | Bedrijfstemperatuur (min.)(num): | -55 °C | Vermogen (max.) P(TOT): | 50 W | Q(G): | 17 nC | Q(G) referentiespanning: | 10 V | R(DS)(on): | 3 Ω | R(DS)(on) referentiestroom: | 1.5 A | R(DS)(on) referentiespanning: | 10 V | U(GS)(th) referentiestroom (max.): | 250 µA | U(DSS): | 500 V | U(GS)(th) max.: | 4.5 V | Afbreekspanning U(BR DSS): | 500 V | Soortnaam: | MOSFET |
|
| | |
| | | |
| Andere zoekwoorden: Infineon Technologies, IRF820A, 542-9412, Internationaal Rectifier, 162521-BP |
| | |
| |