|  |
| |
| Artikelnr.:
4989-162806-BP Fabrikantnr.:
IRLD024PBF EAN/GTIN:
geen gegevens |
| |
|
| | |
| MOSFET Technische spec.: Aantal kanalen: 1 · Afbreekspanning U(BR DSS): 60 V · Bedrijfstemperatuur (max.)(num): +175 °C · Bedrijfstemperatuur (min.)(num): -55 °C · Behuizingssoort (halfgeleider): HEXDIP · C(ISS): 870 pF · C(ISS) referentiespanning: 25 V · Fabrikant: Infineon Technologies · Fabrikantcode (componenten): VIS · I(d): 2.5 A · Kenmerken transistor: Logic Level Gat e · Montagewijze: Doorvoergat · Q(G): 18 nC · Q(G) referentiespanning: 5 V · R(DS)(on): 100 mΩ · R(DS)(on) referentiespanning: 5 V · R(DS)(on) referentiestroom: 1.5 A · Soortnaam: MOSFET · Type (fabrikanttype): IRLD024PBF · U(DSS): 60 V · U(GS)(th) max.: 2 V · U(GS)(th) referentiestroom (max.): 250 µA · Uitvoering (transistor): N-kanaal · Vermogen (max.) P(TOT): 1.3 W Meer informatie: | | Fabrikant: | Infineon Technologies | Aantal kanalen: | 1 | 01 Merk: | Infineon Technologies | Behuizingssoort (halfgeleider): | HEXDIP | Uitvoering (transistor): | N-kanaal | Kenmerken transistor: | Logic Level Gat<b>e</b> | Fabrikantcode (componenten): | VIS | Type (fabrikanttype): | IRLD024PBF | Uitvoering (algemeen): | HEXFET | Montagewijze: | Doorvoergat | C(ISS): | 870 pF | C(ISS) referentiespanning: | 25 V | I(d): | 2.5 A | Bedrijfstemperatuur (max.)(num): | +175 °C | Bedrijfstemperatuur (min.)(num): | -55 °C | Vermogen (max.) P(TOT): | 1.3 W | Q(G): | 18 nC | Q(G) referentiespanning: | 5 V | R(DS)(on): | 100 mΩ | R(DS)(on) referentiestroom: | 1.5 A | R(DS)(on) referentiespanning: | 5 V | U(GS)(th) referentiestroom (max.): | 250 µA | U(DSS): | 60 V | U(GS)(th) max.: | 2 V | Afbreekspanning U(BR DSS): | 60 V | Soortnaam: | MOSFET |
|
| | |
| | | |
| Andere zoekwoorden: Infineon Technologies, IRLD024PBF, 541-0632, Internationaal Rectifier, 162806-BP |
| | |
| |