Assortiment
Mijn Mercateo
Aanmelden/Registreren
Winkelwagen
 
 

VISHAY SI1062X-T1-GE3 Rds(on) Test Voltage 4.5 V Drain Source On State


Aantal:  stuks  
Productinformatie
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikelnr.:
     5696-2679673
Merk:
     Vishay
Fabrikantnr.:
     SI1062X-T1-GE3
EAN/GTIN:
     geen gegevens
Productinformatieblad
Zoekwoorden:
Power-transistor
Rds(on) Test Voltage 4.5 V Drain Source On State Resistance 0.35 ohm Product Range TrenchFET MSL MSL 1 - Unlimited No. of Pins 3 Pins Transistor Mounting Surface Mount Channel Type N Channel Continuous Drain Current Id 530 mA Operating Temperature Max 150 °C Transistor Case Style SC-89 Drain Source Voltage Vds 20 V Power Dissipation 220 mW Qualification - Gate Source Threshold Voltage Max 1 V SVHC No SVHC (17-Jan-2023)
Andere zoekwoorden: Discretes, FETs, MOSFETs, Semiconductors, Single, VISHAY, SI1062X-T1-GE3, 2679673, 267-9673
Overzicht van de condities1
Levertijd
Voorraad
Prijs excl. BTW
vanaf € 0,0604*
  
Prijs geldt vanaf 1.500.000 stuks
alleen te bestellen in veelvouden van 3.000 stuks
Voorwaarden zelf selecteren
AanbevelenToevoegen aan inkooplijst
Staffelprijzen
Bestelhoeveelheid
excl. BTW
incl. BTW
Eenheid
vanaf 3000 stuks
€ 0,08*
€ 0,0968
per stuk
vanaf 6000 stuks
€ 0,0779*
€ 0,09426
per stuk
vanaf 9000 stuks
€ 0,0727*
€ 0,08797
per stuk
vanaf 15000 stuks
€ 0,0662*
€ 0,0801
per stuk
vanaf 30000 stuks
€ 0,0637*
€ 0,07708
per stuk
vanaf 1500000 stuks
€ 0,0604*
€ 0,07308
per stuk
* Prijzen zijn excl. BTW en (indien van toepassing) incl. heffingen zoals Recupel, Bebat of Auvibel.
Mercateo verkoopt uitsluitend aan zakelijke klanten.