Transistor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolaire; 500V; 30A; Idm: 150A

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Fabricant: IXYS
Montage: SMD
Boîtier: SMPD
Temps d'attente: 250ns
Tension drain-source: 500V
Courant du drain: 30A
Résistance en état de conduction: 0,12Ω
Type de transistor: N-MOSFET x2
Puissance de dissipation: 320W
Polarisation: unipolaire
Charge d'entrée: 96nC
La technologie: HiPerFET™;Polar3™
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: 150A