Assortiment
Mijn Mercateo
Aanmelden/Registreren
Winkelwagen
 
 

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 150V; 56,7A; 125W


Aantal:  stuk  
Productinformatie
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikelnr.:
     9XSBY-SIDR622DP-T1-GE3
Merk:
     Vishay
Fabrikantnr.:
     SIDR622DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     geen gegevens
Zoekwoorden:
MOSFET
MOSFET-transistor
SMD-transistor
SMD-transistors
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Tension drain-source: 150V
Courant du drain: 56,7A
Résistance en état de conduction: 20,4mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 125W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 41nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 100A
Magazijnen (3)
Voorraad
Min. hoeveelheid
Verzendkosten
Staffelprijs
Eenheidsprijs
^
3000
€ 7,90*
vanaf € 1,75*
€ 2,16*
Magazyn 9XSBY
372 werkdagen
Geen voorraad
3000
€ 7,90*
vanaf € 1,75*
€ 2,16*
12 werkdagen
Geen voorraad
1
€ 14,99*
vanaf € 1,23*
€ 4,22*
Prijzen: Magazyn 9XSBY
Bestelhoeveelheid
excl. BTW
incl. BTW
Eenheid
vanaf 3000 stuks
€ 2,16*
€ 2,61
per stuk
vanaf 15000 stuks
€ 1,75*
€ 2,12
per stuk
alleen te bestellen in veelvouden van 3.000 stuks
minimale bestelhoeveelheid: 3000 stuks ( € 6.480,00* excl. BTW )
Voorraad: Magazyn 9XSBY
Verzendkosten: Magazyn 9XSBY
Bekijk voorraad details hier.
Bestelwaarde
Verzendkosten
vanaf € 0,00*
€ 7,90*
Retourvoorwaarden: Magazyn 9XSBY
Dit artikel kan niet worden geannuleerd, omgeruild noch worden teruggegeven.
Conform de algemene voorwaarden en onafhankelijk van de retourvoorwaarden blijft de garantieperiode bestaan.
* Prijzen zijn excl. BTW en (indien van toepassing) incl. heffingen zoals Recupel, Bebat of Auvibel.
Mercateo verkoopt uitsluitend aan zakelijke klanten.