|  |
| |
| Artikelnr.:
4989-153177-BP Fabrikantnr.:
BSP149 EAN/GTIN:
geen gegevens |
| |
|
| | |
| Small sign-transistor Technische spec.: Aantal kanalen: 1 · Afbreekspanning U(BR DSS): 200 V · Bedrijfstemperatuur (max.)(num): +150 °C · Bedrijfstemperatuur (min.)(num): -55 °C · Behuizingssoort (halfgeleider): TO-261-4 · C(ISS): 430 pF · C(ISS) referentiespanning: 25 V · Fabrikant: Infineon Technologies · Fabrikantcode (componenten): INF · I(d): 660 mA · Kenmerken transistor: Deleption Mode · Montagewijze: Oppervlakmontage · Q(G): 14 C · Q(G) referentiespanning: 5 V · R(DS)(on): 1.8 Ω · R(DS)(on) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on) referentiestroom: 660 mA · Serie (halfgeleiders): SIPMOS® · Soort transistor (LoV): MOSFET · Type (fabrikanttype): BSP149 · U(DSS): 200 V · U(GS)(th) max.: 1 V · U(GS)(th) referentiestroom (max.): 400 µA · Uitvoering (transistor): N-kanaal · Vermogen (max.) P(TOT): 1.8 W Meer informatie: | | Fabrikant: | Infineon Technologies | Aantal kanalen: | 1 | 01 Merk: | Infineon Technologies | Behuizingssoort (halfgeleider): | TO-261-4 | Uitvoering (transistor): | N-kanaal | Serie (halfgeleiders): | SIPMOS® | Kenmerken transistor: | Deleption Mode | Fabrikantcode (componenten): | INF | Type (fabrikanttype): | BSP149 | Montagewijze: | Oppervlakmontage | C(ISS): | 430 pF | C(ISS) referentiespanning: | 25 V | I(d): | 660 mA | Bedrijfstemperatuur (max.)(num): | +150 °C | Bedrijfstemperatuur (min.)(num): | -55 °C | Vermogen (max.) P(TOT): | 1.8 W | Q(G): | 14 nC | Q(G) referentiespanning: | 5 V | R(DS)(on): | 1.8 Ω | R(DS)(on) referentiestroom: | 660 mA | R(DS)(on) referentiespanning: | 10 V | U(GS)(th) referentiestroom (max.): | 400 µA | U(DSS): | 200 V | U(GS)(th) max.: | 1 V | Afbreekspanning U(BR DSS): | 200 V | Soortnaam: | MOSFET |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |