|  |
| |
| Artikelnr.:
4989-160019-BP Fabrikantnr.:
BYV26D EAN/GTIN:
geen gegevens |
| |
|
| | |
| Diode Deze diodes hebben i.p.v. een PN-overgang een metaal-halfgeleiderovergang met daartussen de Schottky-isolatielaag. Deze blokkeert bij omkering van de polariteit binnen ± 100 ps, is ruisarm en naar gelang het type tot 150 GHz bruikbaar. Technische spec.: Bedrijfstemperatuur (max.)(num): +175 °C · Bedrijfstemperatuur (min.)(num): -55 °C · Behuizingssoort (halfgeleider): SOD-57 · Blokkeerspanning U(R): 800 V · Blokkeerstroom I(r): 5 µA · Blokkeerstroom I(r) - referentie: 800 V · Blokkeervertragingstijd T(rr): 75 ns · Doorlaatspanning U(F): 2.5 V · Doorlaatspanning referentie: 1 A · Doorlaatstroom I(F): 1 A · Fabrikant: Vishay · Fabrikantcode (componenten): VIS · Montagewijze: Doorvoergat · Soort diode (LoV): Avalanche diode · Type (fabrikanttype): BYV26D Meer informatie: | | Fabrikant: | Vishay | 01 Merk: | Vishay | Behuizingssoort (halfgeleider): | SOD-57 | Fabrikantcode (componenten): | VIS | Type (fabrikanttype): | BYV26D | Montagewijze: | Doorvoergat | Doorlaatstroom I(F): | 1 A | Doorlaatspanning U(F): | 2.5 V | Doorlaatspanning referentie: | 1 A | Blokkeerstroom I(r): | 5 µA | Blokkeerstroom I(r) - referentie: | 800 V | Bedrijfstemperatuur (max.)(num): | +175 °C | Bedrijfstemperatuur (min.)(num): | -55 °C | Blokkeervertragingstijd T(rr): | 75 ns | Blokkeerspanning U(R): | 800 V | Soortnaam: | Avalanche diode |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |