|  |
| |
| Artikelnr.:
4989-161143-BP Fabrikantnr.:
IRL3705ZPBF EAN/GTIN:
geen gegevens |
| |
|
| | |
| Unipolaire transistor (MOSFET) Technische spec.: Aantal kanalen: 1 · Afbreekspanning U(BR DSS): 55 V · Bedrijfstemperatuur (max.)(num): +175 °C · Bedrijfstemperatuur (min.)(num): -55 °C · Behuizingssoort (halfgeleider): TO-220AB · C(ISS): 2880 pF · C(ISS) referentiespanning: 25 V · Fabrikant: Infineon Technologies · Fabrikantcode (componenten): INF · I(d): 75 A · Kenmerken transistor: Logic Level Gat e · Montagewijze: Doorvoergat · Q(G): 60 nC · Q(G) referentiespanning: 5 V · R(DS)(on): 8 mΩ · R(DS)(on) referentiespanning: 10 V · R(DS)(on) referentiestroom: 52 A · Serie (halfgeleiders): HEXFET® · Soortnaam: MOSFET · Type (fabrikanttype): IRL3705ZPBF · U(DSS): 55 V · U(GS)(th) max.: 3 V · U(GS)(th) referentiestroom (max.): 250 µA · Uitvoering (transistor): N-kanaal · Vermogen (max.) P(TOT): 130 W Meer informatie: | | Fabrikant: | Infineon Technologies | Aantal kanalen: | 1 | 01 Merk: | Infineon Technologies | Behuizingssoort (halfgeleider): | TO-220AB | Uitvoering (transistor): | N-kanaal | Serie (halfgeleiders): | HEXFET® | Kenmerken transistor: | Logic Level Gat<b>e</b> | Fabrikantcode (componenten): | INF | Type (fabrikanttype): | IRL3705ZPBF | Montagewijze: | Doorvoergat | C(ISS): | 2880 pF | C(ISS) referentiespanning: | 25 V | I(d): | 75 A | Bedrijfstemperatuur (max.)(num): | +175 °C | Bedrijfstemperatuur (min.)(num): | -55 °C | Vermogen (max.) P(TOT): | 130 W | Q(G): | 60 nC | Q(G) referentiespanning: | 5 V | R(DS)(on): | 8 mΩ | R(DS)(on) referentiestroom: | 52 A | R(DS)(on) referentiespanning: | 10 V | U(GS)(th) referentiestroom (max.): | 250 µA | U(DSS): | 55 V | U(GS)(th) max.: | 3 V | Afbreekspanning U(BR DSS): | 55 V | Soortnaam: | MOSFET |
|
| | |
| | | |
| Andere zoekwoorden: Infineon Technologies, IRL3705ZPBF, 688-7175, Internationaal Rectifier, 161143-BP |
| | |
| |