Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 46A; Idm: 105A; 323W

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Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montage: THT
Boîtier: TO247-4
Tension drain-source: 1,2kV
Courant du drain: 46A
Résistance en état de conduction: 50mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 323W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: sortie Kelvin
Charge d'entrée: 137nC
La technologie: SiC
Genre de canal: enrichi
Courant du drain dans l'impulsion: 105A