Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolair; HEMT; 600V; 12,5A; Idm: 23A

Aandacht!
Het product is alleen verkrijgbaar in de hoeveelheid die beschikbaar is in het magazijn. Bij grotere bestellingen wordt de hoeveelheid verandert in de beschikbare hoeveelheid.

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Behuizing: PG-HSOF-8-3
Stroom van de poort: 7,7mA
Spanning dren-bron: 600V
Drainstroom: 12,5A
Weerstand in geleidingstoestand: 0,19Ω
Type transistor: N-JFET
Vermogensdissipatie: 55,5W
Polarisatie: unipolair
Soort verpakking: band
Lading op de poort: 3,2nC
Technologie: CoolGaN™
Soort transistor: HEMT
Soort kanaal: verrijkt
Gate-source spanning: -10V
Gepulseerde drainstroom: 23A