Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolaire; HEMT; 600V; 12,5A; 55,5W

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Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Boîtier: PG-HSOF-8-3
courant d'entrée: 7,7mA
Tension drain-source: 600V
Courant du drain: 12,5A
Résistance en état de conduction: 0,19Ω
Type de transistor: N-JFET
Puissance de dissipation: 55,5W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande
Charge d'entrée: 3,2nC
La technologie: CoolGaN™
Genre de transistor: HEMT
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -10V
Courant du drain dans l'impulsion: 23A